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英飛凌IGBT模塊FF900R17ME7_B11

英飛凌IGBT模塊FF900R17ME7_B11

型    號: FF900R12ME7-B11
報    價(jià): 8888
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英飛凌IGBT模塊FF900R17ME7_B11
北京京誠宏泰科技有限公司銷(xiāo)售IGBT模塊;可控硅模塊;晶閘管;二極管模塊;整流橋模塊;PLC模塊;電容;變頻器備件
第七代IGBT英飛凌FF900R17ME7_B11

詳細資料:

英飛凌IGBT模塊FF900R17ME7_B11

北京京誠宏泰科技有限公司銷(xiāo)售英飛凌IGBT模塊;可控硅模塊;整流橋模塊;二極管模塊;晶閘管;IPM模塊

產(chǎn)品參數:

FF900R17ME7_B11  IGBT 模塊 EconoDUAL™3模塊采用第七代溝槽柵/場(chǎng)終止IGBT7和第七代發(fā)射極控制二極管帶有溫度檢測NTC

FF900R17ME7_B11采用了英飛凌的第七代IGBT晶圓技術(shù)。IGBT7采用了微溝槽(Micro Pattern Trench)結構, 如圖2所示。與IGBT4相比其靜態(tài)損耗顯著(zhù)降低,并且動(dòng)態(tài)損耗并沒(méi)有增加。搭配新的第七代反并聯(lián)二極管芯片—EmCon7能夠實(shí)現更干凈的開(kāi)關(guān),減小震蕩,降低損耗。

新一代Best-in-Class的FF900R17ME7_B11,在相同的條件下,與前一代IGBT相比,逆變器的輸出電流可提高40%。FF750R17ME7D_B11 750A IGBT帶有一個(gè)加大的二極體(1200A),這是針對風(fēng)能和靜態(tài)無(wú)功補償應用進(jìn)行了優(yōu)化。 

更高的模塊功率密度有助於避免IGBT模塊的並聯(lián),從而簡(jiǎn)化了逆變器的設計並降低了成本。




特征描述

  • 功率密度大

  • 優(yōu)化的VCE sat

  • 過(guò)載允許Tvj op= 175°C

  • 改進(jìn)的端子

  • 針對1500 V光伏應用所優(yōu)化的爬電距離

  • PressFIT壓接控制引腳和螺栓功率端子

  • 內置NTC溫度傳感器

  • 隔離的基板

  • 采用模制端子的緊湊而穩健的設計

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產(chǎn)品規格:

IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止

配置:半橋

電壓 - 集射極擊穿:1700 V

電流 - 集電極 (Ic):900 A

電流 - 集電極截止:100 µA

不同 Vce 時(shí)輸入電容 (Cies):122 nF @ 25 V

輸入:標準

NTC 熱敏電阻:無(wú)

工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)

安裝類(lèi)型:底座安裝

封裝/外殼:模塊

供應商器件封裝:AG-62MM

產(chǎn)品特征:

高功率密度

的 VCE,SAT

Tvj op = 175°C 過(guò)載

高爬電距離和電氣間隙

符合 RoHS 標準

4 kV AC 1 分鐘絕緣

CTI > 400 的封裝

通過(guò) UL1557 E83336 獲得 UL/CSA 認證

TRENCHSTOP™ IGBT7晶片

改進(jìn)的EconoDUAL™ 3封裝

225、750和900A,1700V半橋模塊

的二極體,750A IGBT配1200A二極體(僅FF750R17ME7D_B11)

在過(guò)載情況下工作結溫可達到175°C

壓接式控制引腳

北京京誠宏泰科技有限公司供應英飛凌IGBT模塊FF900R17ME7_B11

優(yōu)勢:

具有高電流能力的現有封裝,允許在相同框架尺寸的情況下增加逆變器輸出功率

高功率密度

避免 IGBT 模塊并聯(lián)

通過(guò)簡(jiǎn)化逆變器系統降低系統成本

靈活性

高的可靠性

產(chǎn)品應用領(lǐng)域:

不間斷電源(UPS)

儲能系統

電機控制和驅動(dòng)

商用、建筑和農用車(chē)輛 (CAV)

變頻器

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北京京誠宏泰科技有限公司是一家集渠道、分銷(xiāo)、經(jīng)銷(xiāo) 、直銷(xiāo)及OEM模式為一體的電力電子半導體銷(xiāo)售和電力電子行業(yè)解決方案的產(chǎn)業(yè)鏈供應商。

銷(xiāo)售國內外品牌電力電子半導體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊;主要經(jīng)銷(xiāo)德國Infineon英飛凌、EUPEC優(yōu)派克、

SIEMENS西門(mén)子、西門(mén)康Semikron、 IXYS艾賽斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科,DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Mitsubishi三菱、

Fuji富士、Fairchild飛兆半導體、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因達NIEC,美國IR,瑞士ABB,POWERSEM,NELL尼爾;yaskawa安川;

英國西瑪,西班牙CATELEC等公司生產(chǎn)的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶閘管、GTO、GTR達林頓、整流橋、二極管、場(chǎng)效應模塊;日本富士(FUJI)、

日之出(HINODE)、法國羅蘭(FERRAZ)、英國GOULD、美國B(niǎo)USSMANN快速熔斷器;KEMET,意大利Arcotronics(AV),

Itelcond,意大利FACON,德國伊凱基ELECTRONICON,法國湯姆遜TPC,日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon;

紅寶石,epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發(fā)、英國B(niǎo)HC,BHC Aerovox 電解電容以及美國CDE無(wú)感電容;瑞士CONCEPT IGBT驅動(dòng)、光耦、變頻器主控板、驅動(dòng)板,電源板,通信板,接口板

操作面板


IGBT是什么?

IGBT即絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

IGBT與MOSFET的對比

MOSFET全稱(chēng)功率場(chǎng)效應晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

優(yōu)點(diǎn):熱穩定性好、安全工作區大。

缺點(diǎn):擊穿電壓低,工作電流小。北京京誠宏泰科技有限公司供應IGBT模塊FF900R17ME7_B11

IGBT全稱(chēng)絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。

特點(diǎn):擊穿電壓可達1200V,集電極最大飽和電流已超過(guò)1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上,工作頻率可達20kHz。

IGBT的典型應用

電動(dòng)機

不間斷電源

太陽(yáng)能面板安裝

電焊機

電源轉換器與反相器

電感充電器

電磁爐

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第七代IGBT型號:

FF900R12ME7P_ B11

FF450R12ME7_ B11

FF900R12ME7W_ B11

FF900R12ME7_ B11

FF600R12ME7_ B11

FF800R12KE7

FF300R12ME7_ B11

FF750R12ME7_ B11

FF750R17ME7D_ B11

FF225R17ME7_ B11

FF1800R23IE7P

FF1800R23IE7

FF2400RB12IP7P

FF2400RB12IP7

F3L400R10W3S7F_ B11

F3L600R10W4S7F_ C22

FS3L200R10W3S7F_ B94

F3L 400R10W3S7_ _B11

FS3L200R10W3S7F_ B11

FP15R12W1T7_ B3

FP15R12W1T7

FP15R12W1T7P_ B11

FP25R12W2T7

FP50R12W2T7_ B11

FP25R12W1T7

FP50R12W2T7

FP35R12W2T7_ B11

FP10R12W1T7_ B11

FP35R12W2T7

FP25R12W1T7_ B11

FP25R12W2T7_ B11

FP15R12W1T7_ _B11

FP10R12W1T7_ B3 

FP15R12W1T7P

FP100R12W3T7 B11


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