詳細資料:
IGBT模塊DW.MK006-V12A6-F電除塵器電源
電除塵器高頻電源 脈沖電源配件
北京京誠宏泰科技有限公司銷(xiāo)售IGBT模塊;可控硅模塊;整流橋模塊;二極管模塊;電容;晶閘管;IPM模塊;半導體功率模塊;PLC模塊,風(fēng)機,傳感器,驅動(dòng)板,主控板,電源板,變頻器配件
IGBT模塊DW.MK006-V12A6-F電除塵器電源
DW.QD005-V12A6/9-F
DW.MK006-V12A6-F
DW.QD005-V12A6-F 1.2A
DW.MK006-V12A6-I 1.2A
高頻電源IGBT模塊EHC-ⅡDW.MK006-V12A9-F/個(gè)//
高頻電源IGBT驅動(dòng)板EHC-ⅡDW.QD005-V12A6/9-F/個(gè)//
產(chǎn)品參數:
IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止
配置:半橋
電壓 - 集射極擊穿:3300 V
電流 - 集電極 (Ic):1500 A
電流 - 集電極截止:100 µA
不同 Vce 時(shí)輸入電容 (Cies):122 nF @ 25 V
輸入:標準
NTC 熱敏電阻:無(wú)
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類(lèi)型:底座安裝
封裝/外殼:模塊
供應商器件封裝:AG-62MM
IGBT模塊的優(yōu)勢
綜合上述優(yōu)勢,IGBT模塊已經(jīng)成為能量轉換和電力控制領(lǐng)域的的組成部分,廣泛應用于電機驅動(dòng)、電力傳輸、可再生能源、工業(yè)控制和醫療設備等領(lǐng)域。
產(chǎn)品特征:
高功率密度
的 VCE,SAT
Tvj op = 175°C 過(guò)載
高爬電距離和電氣間隙
符合 RoHS 標準
4 kV AC 1 分鐘絕緣
CTI > 400 的封裝
通過(guò) UL1557 E83336 獲得 UL/CSA 認證
TRENCHSTOP™ IGBT7晶片
改進(jìn)的EconoDUAL™ 3封裝
225、750和900A,1700V半橋模塊
的二極體,750A IGBT配1200A二極體(僅FF750R17ME7D_B11)
在過(guò)載情況下工作結溫可達到175°C
壓接式控制引腳
IGBT模塊DW.MK006-V12A6-F電除塵器電源
優(yōu)勢:
具有高電流能力的現有封裝,允許在相同框架尺寸的情況下增加逆變器輸出功率
高功率密度
避免 IGBT 模塊并聯(lián)
通過(guò)簡(jiǎn)化逆變器系統降低系統成本
靈活性
高的可靠性
產(chǎn)品應用領(lǐng)域:
不間斷電源(UPS)
儲能系統
電機控制和驅動(dòng)
商用、建筑和農用車(chē)輛 (CAV)
變頻器
北京京誠宏泰科技有限公司是一家集渠道、分銷(xiāo)、經(jīng)銷(xiāo) 、直銷(xiāo)及OEM模式為一體的電力電子半導體銷(xiāo)售和電力電子行業(yè)解決方案的產(chǎn)業(yè)鏈供應商。
銷(xiāo)售國內外品牌電力電子半導體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊;主要經(jīng)銷(xiāo)德國Infineon英飛凌、EUPEC優(yōu)派克、
SIEMENS西門(mén)子、西門(mén)康Semikron、 IXYS艾賽斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科,DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Mitsubishi三菱、
Fuji富士、Fairchild飛兆半導體、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因達NIEC,美國IR,瑞士ABB,POWERSEM,NELL尼爾;yaskawa安川; 北京京誠宏泰科技有限公司
英國西瑪,西班牙CATELEC等公司生產(chǎn)的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶閘管、GTO、GTR達林頓、整流橋、二極管、場(chǎng)效應模塊;日本富士(FUJI)、
日之出(HINODE)、法國羅蘭(FERRAZ)、英國GOULD、美國B(niǎo)USSMANN快速熔斷器;KEMET,意大利Arcotronics(AV),
Itelcond,意大利FACON,德國伊凱基ELECTRONICON,法國湯姆遜TPC,日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon;
紅寶石,epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發(fā)、英國B(niǎo)HC,BHC Aerovox 電解電容以及美國CDE無(wú)感電容;瑞士CONCEPT IGBT驅動(dòng)、光耦、變頻器主控板、驅動(dòng)板,電源板,通信板,接口板
操作面板 IGBT驅動(dòng)板DW.QD005-V12A6/9-F電除塵器電源
高頻電源IGBT驅動(dòng)板EHC-ⅡDW.QD005-V12A6/9-F/個(gè)//
IGBT是什么?
IGBT即絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
IGBT與MOSFET的對比
MOSFET全稱(chēng)功率場(chǎng)效應晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。
優(yōu)點(diǎn):熱穩定性好、安全工作區大。
缺點(diǎn):擊穿電壓低,工作電流小。北京京誠宏泰科技有限公司供應IGBT模塊DW.MK006-V12A6-F電除塵器電源
IGBT全稱(chēng)絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。
特點(diǎn):擊穿電壓可達1200V,集電極飽和電流已超過(guò)1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上,工作頻率可達20kHz。
IGBT的典型應用
電動(dòng)機
不間斷電源
太陽(yáng)能面板安裝
電焊機
電源轉換器與反相器
電感充電器
電磁爐