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  • CM200DU-24H三菱IGBT模塊

    CM200DU-24H三菱IGBT模塊

    CM200DU-24H三菱IGBT模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小

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  • CM100TL-24NF三菱IGBT模塊CM100TL-24NF

    三菱IGBT模塊CM100TL-24NF

    三菱IGBT模塊CM100TL-24NF,北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷(xiāo)售CM100TL-24NF;三菱6單元IGBT模塊

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  • CM200RL-24NF三菱IGBT模塊CM200RL-24NF

    三菱IGBT模塊CM200RL-24NF

    三菱IGBT模塊CM200RL-24NF,北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷(xiāo)售CM200RL-24NF;三菱6單元IGBT模塊

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  • CM200TL-24NF三菱IGBT模塊CM200TL-24NF

    三菱IGBT模塊CM200TL-24NF

    三菱IGBT模塊CM200TL-24NF,北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷(xiāo)售CM200TL-24NF;三菱6單元IGBT模塊

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  • CM600HU-24F三菱IGBT模塊CM600HU-24F

    三菱IGBT模塊CM600HU-24F

    三菱IGBT模塊CM600HU-24F,三菱單管IGBT模塊CM600HU-24F,北京京誠宏泰科技有限公司專(zhuān)業(yè)銷(xiāo)售CM600HU-24F

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  • CM600DY-24S三菱IGBT模塊CM600DY-24S

    三菱IGBT模塊CM600DY-24S

    三菱IGBT模塊CM600DY-24S;北京京誠宏泰科技有限公司專(zhuān)業(yè)銷(xiāo)售IGBT模塊CM600DY-24S;日本三菱1200V大功率IGBT模塊CM600DY-24S;大功率變頻器常用IGBT模塊CM600DY-24S

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  • CM300DY-24J三菱IGBT模塊CM300DY-24J

    三菱IGBT模塊CM300DY-24J

    三菱IGBT模塊CM300DY-24J;北京京誠宏泰科技有限公司專(zhuān)業(yè)銷(xiāo)售IGBT模塊CM300DY-24J;日本三菱1200V大功率IGBT模塊CM300DY-24J;大功率變頻器常用IGBT模塊CM300DY-24J

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  • CM600DY-24H三菱IGBT模塊CM600DY-24H

    三菱IGBT模塊CM600DY-24H

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  • 三菱CM1400DU-24NF三菱IGBT模塊CM1400DU-24NF

    三菱IGBT模塊CM1400DU-24NF

    三菱CM1400DU-24NF北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷(xiāo)售三菱IGBT模塊CM1400DU-24NF;IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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  • 三菱CM1200E4C-34N三菱IGBT模塊CM1200E4C-34N

    三菱IGBT模塊CM1200E4C-34N

    三菱CM1200E4C-34N北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷(xiāo)售三菱IGBT模塊CM1200E4C-34N;IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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  • CM900DU-24NFCM900DU-24NF三菱IGBT模塊

    CM900DU-24NF三菱IGBT模塊

    三菱CM900DU-24NF北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷(xiāo)售三菱IGBT模塊CM900DU-24NF;IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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  • 三菱CM300DY-28H三菱IGBT模塊CM300DY-28H

    三菱IGBT模塊CM300DY-28H

    三菱CM300DY-28H北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷(xiāo)售三菱IGBT模塊CM300DY-28H;IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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  • 三菱CM400DY-34A三菱IGBT模塊CM400DY-34A

    三菱IGBT模塊CM400DY-34A

    三菱CM400DY-34A北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷(xiāo)售三菱IGBT模塊CM400DY-34A;IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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  • 三菱CM400DY-34H三菱IGBT模塊CM400DY-34H

    三菱IGBT模塊CM400DY-34H

    三菱CM400DY-34H北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷(xiāo)售三菱IGBT模塊CM400DY-34H;IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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  • 三菱CM400DU-34KA三菱IGBT模塊CM400DU-34KA

    三菱IGBT模塊CM400DU-34KA

    三菱CM400DU-34KA北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷(xiāo)售三菱IGBT模塊CM400DU-34KA;IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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  • 三菱CM400DY-50H三菱IGBT模塊CM400DY-50H

    三菱IGBT模塊CM400DY-50H

    三菱CM400DY-50HH北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷(xiāo)售三菱IGBT模塊CM400DY-50H;IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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  • 三菱CM400DY-66H三菱IGBT模塊CM400DY-66H

    三菱IGBT模塊CM400DY-66H

    三菱CM400DY-66H北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷(xiāo)售三菱IGBT模塊CM400DY-66H;IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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  • 三菱CM600DY-34H三菱IGBT模塊CM600DY-34H

    三菱IGBT模塊CM600DY-34H

    三菱CM600DY-34H北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷(xiāo)售三菱IGBT模塊CM600DY-34H;IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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  • 進(jìn)口CM800E3UA-24F三菱IGBT模塊CM800E3UA-24F

    三菱IGBT模塊CM800E3UA-24F

    三菱CM800E3UA-24FF北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷(xiāo)售三菱IGBT模塊CM800E3UA-24F;IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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  • CM800E2UA-24F三菱IGBT模塊CM800E2UA-24F

    三菱IGBT模塊CM800E2UA-24F

    三菱CM800E2UA-24F北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷(xiāo)售三菱IGBT模塊CM800E2UA-24F;IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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